Компания SanDisk сегодня сообщила о начале массового производства модулей высокопроизводительной flash-памяти нового типа. Чипы x3 и x4 изготовлены по 32- и 43-нанометровому литографическому процессу, что позволяет размещать данные на носителях очень плотно, а емкость дисков увеличивать до 64 Гб на одном модуле. Этот показатель в два раза больше современных карт памяти.
Второй изюминкой чипов стали технологии x3 и х4, которые позволяют размещать по 3 и 4 бита данных на одну микроячейку модуля flash-памяти. Это, по словам производителя, повышает сложность производства чипов, но вместе с этим повышает и плотность хранения данных.
В заявлении SanDisk сказано, что представленные технологии, а также аппаратные контроллеры для работы с ними, являются крупным достижением компании в работе с flash-памятью формата NAND. Кроме того, в компании отмечают, что у данных модулей памяти есть ресурс дальнейшего совершенствования на будущее.
Технология х3, которая будет использована для создания 32Гб дисков, послужит основой для проектирования новых карт памяти формата MicroSD, а вот с х4 будут выпускаться стандартные карты SD с емкостью до 64 Гб. Оба формата могут быть использованы в широком спектре электронных портативных устройств — плееров, фото- и видео-камер, навигаторов и ноутбуков.
Производство карт нового образца начнется во втором квартале текущего года.
Во втором полугодии SanDisk планирует начать создание новых карт памяти по 32-нм процессу, которые будут хранить по 2 бита на ячейку.
