Компании IBM и TDK разрабатывают новый тип компьютерной памяти STT-RAM (Spin Torque Transfer Random Access Memory). Основное отличие отличие нового типа оперативной памяти заключается в принципе работы.
В STT-RAM электрическое поле воздействует на микромагниты, заставляя их менять направление магнитного поля. В свою очередь направление магнитного поля (справа — налево или сверху — вниз) вызывает изменение в сопротивлении. Именно эти перемены в сопротивлении в являются логическими нулями и единицами.
В сообщении IBM и японской TDK сказано, что в настоящий момент технология находится в процессе создания рабочего прототипа 65нм чипа памяти. Однако его рабочая версия будет создана примерно через три-четыре года.
До этого, примерно год назад специалисты компаний Freescale и IBM представили схожие микрочипы, работающие по аналогии с компьютерными жесткими дисками.
Чипы, получившие название магниторезистивная память с произвольным доступом (Magnetoresistive Random Access Memory MRAM), работают не как привычные микросхемы оперативной памяти. Если стандартные микросхемы, например формата DRAM, используют электрических заряд для хранения информации, то MRAM чипы также применяют магнитный заряд.
Одно из главных преимуществ новинки состоит в том, что микросхема способна удерживать заряд (т.е. хранить информацию) даже в том случае, когда устройство выключено, а на чип не подается электрический заряд.
